特許
J-GLOBAL ID：200903040250246550
フォトレジスト膜の硬化方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-129659
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321505
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】半導体ウエハの裏面におけるキズの発生を抑えながらしかも耐熱性、耐薬品性、および耐ドライエッチ性に優れたフォトレジスト膜を半導体ウエハの表面に形成することを目的とする。【解決手段】ホットプレート16に昇降ピン24を付加し、この昇降ピン24によって半導体ウエハ10を支持し、昇降ピン24を昇降動作させることによって半導体ウエハ10の裏面をホットプレート16に接触させたり離間させたりしながら所定の温度プロフィールを形成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上に塗布されたフォトレジスト膜に光照射して前記レジスト膜を硬化させるようにした硬化方法において、加熱手段を有するホットプレート上に前記半導体ウエハを載置し、しかも前記半導体ウエハを前記ホットプレートに対して接触と離間とを繰返すことによって前記半導体ウエハの温度を制御するようにしたことを特徴とするフォトレジスト膜の硬化方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 566
, H01L 21/30 567
