特許

J-GLOBAL ID：200903040251910828

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 猪野 益充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264997
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082980
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体薄膜の多結晶化を効率的に行なう。【解決手段】 薄膜半導体装置を製造する為、先ず第1工程を行ない絶縁基板1上にゲート電極をパタニング形成する。次に第2工程を行ない、ゲート電極を被覆する様にゲート絶縁膜を形成し、さらにその上に半導体薄膜2を形成する。続いて第3工程を行ない、原料ガスをイオン化して電界加速し半導体薄膜2に照射して非晶質化する。さらに第4工程を行ない、外部から結晶成長の為のエネルギーを加えて半導体薄膜2を非晶質から多結晶に転換する。最後に第5工程を行ない、多結晶化した半導体薄膜2を活性層としてボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にゲート電極をパタニング形成する第1工程と、該ゲート電極を被覆する様にゲート絶縁膜を形成し、さらにその上に半導体薄膜を形成する第2工程と、所定の原料ガスをイオン化して電界加速し該半導体薄膜に照射して非晶質化する第3工程と、外部から結晶成長の為のエネルギーを加えて該半導体薄膜を非晶質から多結晶に転換する第4工程と、多結晶化した該半導体薄膜を活性層としてボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成する第5工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 627 F