特許

J-GLOBAL ID：200903040262630959

電界放射型電子放出素子

発明者： 星野 昭裕
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-168531
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 複数の電子放出素子から一つの画素を構成する場合に、一つの電子放出素子のゲート電極とエミッタ電極とが短絡しても、他の電子放出素子に悪影響が及ばないようにする。【構成】 エミッタ配線パターン2、その上に設けられたエミッタ電極3、そのエミッタ電極3を取り囲むように該エミッタ配線パターン2上に配設されている第1絶縁層4、及び該第1絶縁層4上に該エミッタ電極3を取り囲むように配設されているゲート電極5からなる電界放射型電子放出素子において、ゲート電極5に電圧を印加するためのゲート配線パターン6が容量結合方式によりゲート電極5と電気的に接続されるように、ゲート配線パターン6をゲート電極5上に第2絶縁層7を介して配設する。

請求項（抜粋）：

エミッタ配線パターン、その上に設けられたエミッタ電極、そのエミッタ電極を取り囲むように該エミッタ配線パターン上に配設されている第1絶縁層、及び該第1絶縁層上に該エミッタ電極を取り囲むように配設されているゲート電極からなる電界放射型電子放出素子において、該ゲート電極に電圧を印加するためのゲート配線パターンが、容量結合方式により該ゲート電極と電気的に接続されるように、該ゲート電極上に第2絶縁層を介して配設されていることを特徴とする電界放射型電子放出素子。