特許
J-GLOBAL ID：200903040266364110
細線素子およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180831
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029630
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板の突起を稜線をチャネルとした素子における寄生素子の形成を防止する。【構成】 シリコン基板20の突起3と隣接する突起との間の空間を埋め込み層1の上に素子の電極を配線する。このような構成にすれば、突起3の側壁17を配線されないので寄生素子の電極を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、断面が三角形の鋸歯状の突起の先端部分の稜線にチャネルを有し、前記鋸歯状突起と突起の間の逆三角形状の空間が、電気的に不活性な材料によって平坦に埋め込まれた埋め込み層を有し、前記埋め込み層上に配線を配置していることを特徴とする細線素子。
IPC (3件)：
H01L 29/804
, H01L 21/306
, H01L 29/06
