高周波誘導プラズマ成膜装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井島藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234610
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090556
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】未蒸発材料などが基板に直接堆積することを防止できる高周波誘導熱プラズマ成膜装置を実現する。【構成】管21とチャンバー25内にプラズマPが形成されるが、プラズマが安定状態となるまで、ガスリングヘッド23はガスリング22の中心部で下方に移動させられており、被蒸発物質28がプラズマPに晒されないようにしている。このプラズマPが安定した時点で、図2に示すようにガスリングヘッド23を上方に移動させ、被蒸発材料24をプラズマPに晒すようにセットする。この結果、被蒸発物質28のプラズマに晒された部分は加熱され、蒸発される。蒸発し反応ガスと反応した物質は、プラズマと一緒にチャンバー25内を上方に移動し、基板26に蒸着される。

請求項（抜粋）：

高周波誘導プラズマトーチ内に形成されたプラズマ中に被成膜物質を供給し、プラズマ中で被成膜物質を溶融あるいは蒸発させた後、基板に付着させるようにした高周波誘導熱プラズマ成膜装置において、プラズマを下方から上方に向かって形成すると共に、プラズマの下方に被成膜物質を配置し、プラズマトーチの上方に基板を配置するように構成した高周波誘導熱プラズマ成膜装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特公昭62-029880
特開平4-157152
特公昭38-009419

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