特許
J-GLOBAL ID:200903040277033710

薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三浦 邦夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-198287
公開番号(公開出願番号):特開2005-038479
出願日: 2003年07月17日
公開日(公表日): 2005年02月10日
要約:
【目的】カップリング磁界Hin及び磁気抵抗変化率ΔR/Rの改善を図れる薄膜磁気ヘッドの製造方法を得る。【構成】薄膜磁気ヘッドを構成する複数の層のいずれかの層からなる第1特定層上にこの第1特定層とは別の第2特定層を積層形成する際に、不活性ガス雰囲気中でプラズマ処理を行ない、第1特定層界面を活性化させるステップと、プラズマ処理終了直後に酸素雰囲気中又は不活性ガスと酸素による混合ガス雰囲気中で、活性化させた第1特定層界面に酸素を吸着させるステップとを有する表面改質工程と;表面改質工程により酸素を吸着させた第1特定層界面上に、第2特定層を成膜する工程と;を同一の真空チャンバー内で連続して行なう。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
薄膜磁気ヘッドを構成する複数の層のいずれかの層からなる第1特定層上に、この第1特定層とは別の第2特定層を積層形成する際に、 純Ar雰囲気中でプラズマ処理を行ない、前記第1特定層界面を活性化させるステップと、前記プラズマ処理終了直後に酸素雰囲気中あるいは酸素と不活性ガスによる混合ガス雰囲気中で、前記活性化させた第1特定層界面に酸素を吸着させるステップとを有する表面改質工程と; 前記表面改質工程により酸素を吸着させた第1特定層界面上に、前記第2特定層を成膜する工程と; を同一の真空チャンバー内で連続して行なうことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
IPC (3件):
G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12
FI (3件):
G11B5/39 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (4件):
5D034BA02 ,  5D034BA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07

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