特許
J-GLOBAL ID：200903040278584094

半導体素子のピックアップ方法

発明者：
荒井 一尚

荒井 一尚 について

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高橋 敏昭

高橋 敏昭 について

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矢嶋 興一

矢嶋 興一 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 小野 尚純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258946
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076096
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエーハを分割して形成された半導体素子を損傷することなくピックアップすることができる半導体素子のピックアップ方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエーハが分割して形成された複数個の半導体素子をピックアップする半導体素子のピックアップ方法であって、無数の気孔が表面に形成され弾性による復元力と密着性とで気孔が潰れ負圧が生じた際に吸着力を発生する弾性吸着パッドに、分割された複数個の半導体素子を吸引保持せしめる半導体素子保持工程と、複数個の半導体素子を吸引保持した弾性吸着パッドを所定の温度に加温し、該気孔内の空気を膨張させた状態で、半導体素子をピックアップする半導体素子ピックアップ工程とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハが分割して形成された複数個の半導体素子をピックアップする半導体素子のピックアップ方法であって、無数の気孔が表面に形成され弾性による復元力と密着性とで気孔が潰れ負圧が生じた際に吸着力を発生する弾性吸着パッドに、分割された複数個の半導体素子を吸引保持せしめる半導体素子保持工程と、複数個の半導体素子を吸引保持した弾性吸着パッドを所定の温度に加温し、該気孔内の空気を膨張させた状態で、半導体素子をピックアップする半導体素子ピックアップ工程と、を含む、ことを特徴とする半導体素子のピックアップ方法。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/301
FI (3件)：
H01L 21/68 E ,  H01L 21/78 W ,  H01L 21/78 Y
Fターム (20件)：
5F031CA02 ,  5F031CA13 ,  5F031DA05 ,  5F031DA11 ,  5F031DA15 ,  5F031EA01 ,  5F031EA02 ,  5F031EA18 ,  5F031EA19 ,  5F031FA05 ,  5F031FA07 ,  5F031FA09 ,  5F031FA11 ,  5F031GA23 ,  5F031GA37 ,  5F031HA13 ,  5F031HA37 ,  5F031MA38 ,  5F031MA39 ,  5F031PA20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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