特許
J-GLOBAL ID：200903040279400531
半導体素子の実装構造体及び半導体素子の実装方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082385
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279576
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 基板に搭載された半導体素子の一面側と基板の搭載面との間の間隙に絶縁性樹脂を充填して形成した絶縁性樹脂層と、半導体素子等を覆う低融点金属層との剥離を防止し、耐久性と熱放散性とが改善された半導体素子の搭載構造体を提供する。【構成】 半導体素子12が搭載された基板10の搭載面に形成されている基板側接続部と、搭載面に対向する半導体素子12の一面側に形成されている素子側接続部とが電気的に接続された半導体素子の実装構造体において、該基板10の基板側接続部と半導体素子12の素子側接続部とを電気的に接続する接続部分を覆う絶縁性樹脂層2と、半導体素子12及び絶縁性樹脂層22を覆う、半導体素子12の耐熱温度以下の温度で溶融される低融点金属から成る低融点金属層24とを具備し、且つ前記低融点金属層24と接触する絶縁性樹脂層22の表面に、溶融された低融点金属に対する濡れ性向上層としての金属粉末層30が形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子が搭載された基板の搭載面に形成されている基板側接続部と、前記搭載面に対向する半導体素子の一面側に形成されている素子側接続部とが電気的に接続された半導体素子の実装構造体において、該基板の基板側接続部と半導体素子の素子側接続部とを電気的に接続する接続部分を覆う絶縁性樹脂層と、前記半導体素子及び絶縁性樹脂層を覆う、半導体素子の耐熱温度以下の温度で溶融される低融点金属から成る低融点金属層とを具備し、且つ前記低融点金属層と接触する絶縁性樹脂層の表面の少なくとも一部に、溶融された低融点金属に対する濡れ性が絶縁性樹脂層の他の表面よりも向上された、濡れ性向上層が形成されていることを特徴とする半導体素子の実装構造体。
IPC (5件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
, H01L 23/36
, H05K 1/18
H01L 23/30 B
, H01L 21/56 E
, H05K 1/18 J
, H01L 23/36 D
