特許

J-GLOBAL ID：200903040280939495

不揮発性記憶素子およびこれを利用した不揮発性記憶装置、ならびに不揮発性記憶装置の駆動方法

発明者： 中村 孝
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012178
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205487
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【構成】メモリセル10A,10B,10C,10D ・・・を、電荷を蓄積するためのMFSFET11A,11B.11C ,11D・・・と、MFSFET11A,11B.11C,11D ・・・に直列接続された読み出し用のMOSFET12A,12B,12C,12D ・・・と、MFSFET11A,11B.11C,11D ・・・のゲートに接続された書き込み・消去用のMOSTFT13A,13B,13C,13D ・・・とから構成する。書き込み時に、例えばワードラインWL1-1 にプログラム電圧Vppを印加し、メモリセル10A を選択するために、ソースラインSL1 に電圧Vccを印加する。【効果】書き込み時に、非選択メモリセルのMFSFETのの強誘電体ゲート膜に電圧Vccが印加されないため、非選択メモリセルのデータがソフトライトされずに済み、非選択メモリセルのデータは確実に保持される。

請求項（抜粋）：

電荷を蓄積するための強誘電体ゲート膜を有する第1の電界効果トランジスタと、第1の電界効果トランジスタに直列接続された読み出し用の第2の電界効果トランジスタと、第1の電界効果トランジスタのゲートに接続された書き込み・消去用の第3の電界効果トランジスタとを備えたことを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (4件)：

G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 307 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-256361