凹凸基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030139
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233484
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【目的】良好な特性を有し、且つ太陽電池用として最適な凹凸構造を有する結晶系半導体基板を、再現性良く製造する。【構成】結晶系半導体基板表面を清浄化する第一工程と、該結晶系半導体基板をアルカリ性溶液で表面処理し、表面に凹凸構造を備えた凹凸基板を製造する第二工程と、を備えている。

請求項（抜粋）：

結晶系半導体基板表面を清浄化する第一工程と、該結晶系半導体基板をアルカリ性溶液で表面処理し、表面に凹凸構造を備えた凹凸基板を製造する第二工程と、を備えたこと特徴とする凹凸基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/306 B , H01L 31/04 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

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