特許

J-GLOBAL ID：200903040281225780

半導体装置

発明者： 太田 順道 ,  正戸 宏幸 ,  熊渕 康仁
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-086394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284507
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 受信アンプ部の低雑音特性の温度劣化を最小限に抑えつつ、送信アンプ部の飛躍的な高出力化を可能にする半導体装置を提供する。【解決手段】 SiC基板10上にAl(x)In(y)Ga(1-x-y)N(0≦x,y≦1)エピタキシャル膜11が形成されている。 高出力アンプ部15は、SiC基板10内に形成され、低雑音アンプ部16は、エピタキシャル膜11内に形成されている。SiC基板に高出力アンプ部を形成することによって高出力化を実現し、同時にSiC上にエピタキシャル成長可能なGaN系材料の高い電子移動度を活かした低雑音アンプ部を一体形成することによって、超高出力型の送受信一体MMICを実現している。

請求項（抜粋）：

SiC基板と、前記SiC基板上に形成されたAl(x)In(y)Ga(1-x-y)N(0≦x,y≦1)からなるエピタキシャル膜と、前記SiC基板に形成されたパワーアンプ部と、前記エピタキシャル膜に形成された低雑音アンプ部とを有し、前記パワーアンプ部と、前記低雑音アンプ部とが同一基板上に形成されている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 23/12 301 C ,  H01L 27/04 A