特許
J-GLOBAL ID：200903040286152489
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-177293
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020942
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 二層レジスト法によるレジストパターン形成方法に関し、上層レジストがダメージを受けることなく、開口部における残渣発生を防止することが可能なレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン含有レジストからなる上層レジスト3のパターンを酸素によるドライエッチングが可能なレジストからなる下層レジスト2にドライエッチングにより転写して所望のレジストパターンを形成するに際して、先ず酸素に弗素化合物ガスを添加したガスを使用し、その後、酸素のみを使用してドライエッチングする。
請求項（抜粋）：
基板(1) 上に酸素を用いたドライエッチングが可能なレジストからなる下層レジスト(2) を形成する工程と、該下層レジスト(2) 上にシリコンを含有するレジストからなる上層レジスト(3) を形成する工程と、該上層レジスト(3) をパターニングする工程と、該パターニングされた上層レジスト(3) をエッチングマスクとして該下層レジスト(2) をドライエッチングする工程とを有し、該下層レジスト(2) のドライエッチングには、先ず酸素に弗素化合物ガスを添加したガスを使用し、その後、酸素のみを使用することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
, H01L 21/302
