特許

J-GLOBAL ID：200903040288548177

ポリイミドバンプ、半導体素子実装用バンプ並びにそれらの製造方法及びポリイミドバンプのテスト方法

発明者： 西森 尚 ,  中村 光佐 ,  村山 恵二 ,  蒲 保典
出願人/特許権者： 田中貴金属工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-166309
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017839
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子をバンプにて基板又はテープにはんだ付けした際、バンプの上端部のみで基板又はテープに溶融接合し、バンプの周囲にはんだが流れず、バンプ全体がはんだで被われないようにして、半導体素子と基板又はテープとの膨張差、収縮差によって歪が発生してもその歪を吸収緩和できて、疲労破断しにくく、バンプ寿命を増長できるポリイミドバンプ、半導体素子実装用バンプ並びにそれらの製造方法、テスト方法を提供する。【構成】 半導体素子、基板又はテープの電極上に設けられた特殊なポリイミドバンプ及びその周面及び上面に、はんだに濡れにくい導電膜が被われ、さらにポリイミドバンプの上端部の導電膜上にはんだに濡れにくい金属膜が少なくとも最外層に設けられている半導体素子用バンプ並びにそれらの製造方法とテスト方法。

請求項（抜粋）：

電極パッド上のポリイミドバンプの頭部上面に、溝が設けられていることを特徴とするポリイミドバンプ。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 D ,  H01L 21/92 V