不揮発性半導体メモリ及びその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須藤克彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259653
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107166
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】スプリットゲート型メモリセルを用いたフラッシュEEPROMの高集積化を図る。【解決手段】半導体基板(1)に形成された凹部(10)と、凹部(10)の側壁部分(14)に形成されたフローティングゲート電極(8)及びコントロールゲート電極(9)と、半導体基板(1)とフローティングゲート電極(8)との間に形成された絶縁膜(6)と、フローティングゲート電極(8)とコントロールゲート電極(9)との間に形成された絶縁膜(7)と、半導体基板(1)とコントロールゲート電極(9)の選択ゲート(15)に対応する部位との間に形成された絶縁膜(6、7)と、フローティングゲート電極(8)とコントロールゲート電極(9)の間に形成されたチャネル領域(5)と、チャネル領域(5)を挟んでその両側に形成されたソース・ドレイン領域(3、4)とから構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された凹部と、凹部の側壁部分に形成されたフローティングゲート電極及びコントロールゲート電極と、半導体基板とフローティングゲート電極との間に形成された絶縁膜と、フローティングゲート電極とコントロールゲート電極との間に形成された絶縁膜と、半導体基板とコントロールゲート電極の選択ゲートに対応する部位との間に形成された絶縁膜と、フローティングゲート電極とコントロールゲート電極の間に形成されたチャネル領域と、チャネル領域を挟んでその両側に形成されたソース・ドレイン領域とを備えた不揮発性半導体メモリ。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-290720 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-155870

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