特許

J-GLOBAL ID：200903040290301014

線間容量低減用の平坦化構造

発明者： シン - プー ジェング
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250972
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195437
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 線間容量を低減する多層メタライゼーション構成を提供する。【構成】 金属相互接続層は、金属相互接続ライン(30、32及び34)、及び改良された誘電体層(16)を備えている。誘電体層(16)は、二酸化ケイ素部(18)及び低誘電率部(20)を備えている。低誘電率部(20)は、3.5未満の誘電率を有し、かつ、テフロンAF等の有機ポリマーを備え得る。ブァイアホール(24)は二酸化ケイ素部(18)を通して伸長し得る。低誘電率部(20)は、RC遅延時間を低減するように機能する。

請求項（抜粋）：

(a) 第1の金属構造体と、(b) 前記金属構造体の第1の側にてこれを覆うシリコン誘電体部、及び前記金属構造体の第2の側の低誘電体部を有する誘電体層であって、該低誘電体部が3.9を下回る誘電率を有してなる前記誘電体層と、を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 K ,  H01L 27/04 D