特許
J-GLOBAL ID：200903040299990300
プラグの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-208596
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293552
出願日： 1995年08月16日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【課題】 下層配線あるいはゲート電極とその上層配線との間の電気的接続についてその信頼性を向上する、プラグの形成方法の提供が望まれている。【解決手段】 基体上に形成された下層配線10の上の絶縁層11に、下層配線10と絶縁層11上に設けられる上層配線との間を接続するためのスルーホール12を形成し、スルーホール12にプラグを埋め込むプラグの形成方法である。下層配線10上に絶縁層11を形成する工程と、絶縁層11エッチングしてスルーホール12を形成する工程と、スルーホール12内に、下層配線10を覆ってAlをCVD法により堆積し、第一Al層を形成する工程と、第一Al層を高圧リフロー法により熱処理する工程と、熱処理後の第一Al層20上に、Alをターゲットとするスパッタ法によって第二Al層を形成する工程と、第二Al層20を高圧リフロー法により熱処理する工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された下層配線の上の絶縁層に、該下層配線と前記絶縁層上に設けられる上層配線との間を接続するためのスルーホールを形成し、該スルーホールにプラグを埋め込むプラグの形成方法であって、前記下層配線上に該下層配線を覆って絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の所定箇所をエッチングして前記下層配線の略直上部にスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内に、少なくとも該スルーホール内に露出する前記下層配線を覆ってAlを化学的気相成長法により堆積し、第一Al層を形成する工程と、前記第一Al層を高圧リフロー法により熱処理する工程と、前記熱処理後の第一Al層上に、Alをターゲットとするスパッタ法によって第二Al層を形成する工程と、前記第二Al層を高圧リフロー法により熱処理する工程と、を具備することを特徴とするプラグの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H05K 3/40
H01L 21/90 A
, H01L 21/28 301 R
, H05K 3/40 Z
