特許

J-GLOBAL ID：200903040301525173

光起電力素子及び発電システム

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332064
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181329
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、堆積速度を向上させた光起電力素子において、光電変換効率を向上させ、更に光劣化、振動劣化を抑制した光起電力素子と発電システムを提供することを目的とする。【構成】 水素を含有する非単結晶シリコン系のp型層、i型層、n型層を積層して構成され、i型層がフッ素を含有し、マイクロ波PCVD法で形成されてなる光起電力素子において、p型層及びn型層のうち少なくともひとつの層はマイクロ波PCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFPCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造によって構成され、且つRFドーピング層はMWドーピング層とi型層に挟まれるように配置され、さらにi型層のフッ素含有量及び水素含有量が層厚方向になめらかに変化していること、あるいはi型層にドナー及びアクセプターとなる価電子制御剤が共に含有されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料からなるp型層、i型層、n型層を積層して構成され、該i型層がフッ素を含有し、マイクロ波プラズマCVD法で形成されてなる光起電力素子において、該p型層及びn型層のうち少なくともひとつの層はマイクロ波プラズマCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造によって構成され、且つ該RFドーピング層は該MWドーピング層と該i型層に挟まれるように配置され、さらに該i型層のフッ素含有量及び水素含有量が層厚方向になめらかに変化していることを特徴とする光起電力素子。