特許
J-GLOBAL ID：200903040306585883
プラズマ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
守谷 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-286329
公開番号（公開出願番号）：特開平5-125545
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：
【要約】【目的】半導体ウェハ、LCD基板等の被処理体をプラズマ処理するに際に、被処理体表面に均一に処理ガスを供給し、もって被処理体の均一な処理を行なう。【構成】上部電極と対向配置した下部電極の上に被処理体を載置して、電極間に高周波高圧電力を印加し放電を発生させるとともに、上部電極に取り付けた複数のガス供給口を有するガス供給板からガスを処理室内に導入する。ガス供給板のガス供給口は被処理体の大きさ、形状に合せた位置に所定数設けられているので、電極間の被処理体が載置されている部分に均一にガスが供給される。【効果】方形の被処理体や大型の被処理体に対応できる。
請求項（抜粋）：
対向配置した一対の電極の一方に被処理体を設置するとともに前記電極間にガスを導入して放電させて前記被処理体をプラズマ処理する装置において、前記ガスを処理室内の複数箇所から噴き出させるためのガス供給経路手段を着脱可能に設けたことを特徴とするプラズマ装置。
IPC (6件)：
C23C 16/50
, B01J 19/08
, C23F 4/00
, H01L 21/302
, H05H 1/24
, H01L 21/31
