特許

J-GLOBAL ID：200903040306689778

半導体基板処理装置及び半導体基板処理方法

発明者： 山▲崎▼ 充晴
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214426
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063963
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体基板の成膜処理において発生する反応副生成物からのアウトガスが反応室内へ逆流するのを防止し、半導体基板に形成された薄膜の劣化を防ぐこと。【解決手段】処理室3内に薄膜を形成するための材料ガスを導入する材料ガス導入管7、排気管11、通気手段9、メイン排気バルブ12、補助排気バルブ13、真空ポンプ14等から構成されている。処理室3の外部からパージガスを導入し、インレットフランジ6の排気口から排気方向へパージガスを供給するパージガス導入管8を設けている。アウトガスが処理室3内へ逆流するのを防止するため、インレットフランジ6の排気口11から排気方向へパージガスを送風している。パージガス導入管8の先端部は、パージガスを排気口11から排気方向へ送風するように形成している。

請求項（抜粋）：

半導体基板を収容する処理室と、該処理室内に前記半導体基板上に薄膜を形成する材料ガスを導入する材料ガス導入手段と、反応後のガスを前記処理室内から排気する排気口及び排気管を備えた排気手段とを具備してなる半導体基板処理装置であって、前記処理室の内部の前記排気口に排気方向へ向かってパージガスを供給する手段を備えたことを特徴とする半導体基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/44 E ,  H01L 29/78 301 P