特許

J-GLOBAL ID：200903040309989128

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 岡本 好彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246596
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115864
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 電子ビーム直接描画のスループットを向上させる。【構成】 半導体ウエハ上に形成された化学増幅系電子ビームレジストに電子ビームを照射して得られるレジストパターンをマスクに用いて集積回路パターンを形成する際、前記電子ビームの断面が1本か2本か、およびビーム露光面積比率の大小によって、ポジ型かネガ型かのレジストを選択し、集積回路の製造工程に応じて化学増幅系ポジ型電子ビームレジストと化学増幅系ネガ型電子ビームレジストとを使い分けることにより、描画時間の短縮を実現する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上に被着した化学増幅系電子ビームレジストに電子ビームを照射し、照射部と未照射部の現像液に対するレジスト溶解速度の差を利用してレジストパターンを形成する電子ビーム露光工程を複数工程備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、前記複数の電子ビーム露光工程の一部の工程でポジ型電子ビームレジストを用い、他の一部の工程でネガ型電子ビームレジストを用い、前記ポジ型電子ビームレジストと前記ネガ型電子ビームレジストとの選択は、前記半導体ウエハ上の全領域の露光の際に電子ビームの断面を1本のみ用いる場合には、ビーム露光面積比率を1/2以下とすることで決め、少なくとも前記半導体ウエハ上の一部の領域の露光の際に電子ビームの断面を2本以上用いる場合には、単にビーム照射領域のレジストを残すか削除するかで決めることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/26

FI (3件)：

H01L 21/30 541 M ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 541 P