特許

J-GLOBAL ID：200903040311974650

薄膜トランジスタの形成方法とアクティブマトリクス表示素子

発明者： 加藤 直樹
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-096969
公開番号（公開出願番号）：特開平6-289431
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】画像表示部と駆動回路部のビームアニール形成を一体化して行う。【構成】駆動回路部と画像表示部にそれぞれ設けられるTFTの半導体チャンネル部がマトリクス基板の行または列方向で直線上に配列するよう配置設計し、行または列方向でビーム走査して、α-Siを多結晶化せしめ、さらにフォトリソグラフィ等を経て、Si島を形成し、さらにTFTを形成する。【効果】高い生産性と高い歩留りが得られる。

請求項（抜粋）：

同一基板上に画素表示用の薄膜トランジスタと駆動回路用の薄膜トランジスタとが形成されたアクティブマトリクス表示素子において、画素表示用の薄膜トランジスタと駆動回路用の薄膜トランジスタとが直線状に配置せしめられたことを特徴とするアクティブマトリクス表示素子。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 Y