半導体装置の素子間分離兼配線構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109704
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304207
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】素子間分離用絶縁膜下の空間を利用して配線を設け半導体装置の高集積化を図るに当たりより有利でかつ配線の低抵抗化にも有利な、素子分離兼配線構造を提供する。【構成】 P型シリコン基板31の素子間分離領域に溝33をそれぞれ設けてある。これらの溝33を囲う基板部分の、溝33の底壁及び側壁の溝底側に当たる部分に、埋め込みn+ 不純物拡散層35をそれぞれ設けてある。この埋め込みn+ 層35によって配線を構成する。さらに各溝33内全部に絶縁性層37例えばSiO2 層を設けてあり、この絶縁性層37によって素子間分離用絶縁膜を構成する。溝33の底面と絶縁性層37との間にn+ ポリシリコン層、高融点金属層、シリサイド層などの導電性層を設けたり、埋め込みn+ 層表面をシリサイド化して、配線の低抵抗化を図るのが良い。

請求項（抜粋）：

素子間分離用の絶縁膜下に配線を具える構成の、半導体装置の素子間分離兼配線構造において、半導体基板の素子間分離領域に溝を設けてあり、該溝内の底部分側に導電性層を設けるか、該溝を囲う基板部分の所定部分に不純物拡散層を設けるか、これら導電性層及び不純物拡散層の双方を設けるかを行なってあり、これら導電性層及び不純物拡散層の一方又は双方によって配線を構成してあり、前記導電性層を設けた場合は該導電性層上の前記溝内部分に、また設けない場合は前記溝内全部に、絶縁性層を設けてあり、該絶縁性層によって素子間分離用の絶縁膜を構成してあることを特徴とする半導体装置の素子間分離兼配線構造。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/3205 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 29/78 371

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