特許
J-GLOBAL ID：200903040319578398
レ-ザ-およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372032
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196191
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】Si基板上に作成することができ、Si基板上に光メモリなどの光デバイスの製造を可能とするレーザーおよびその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板上に形成された酸化膜層の上に希土類元素をドープしたナノ微結晶Si膜層のストライプ構造を作成し、上記希土類元素をドープしたナノ微結晶Si膜層のストライプ構造の上に酸化膜層を堆積し、上記ストライプ構造の上に酸化膜層を堆積した後に劈開を施して光導波路を作成した。
請求項（抜粋）：
Si基板上に形成された希土類元素をドープしたナノ微結晶Si導波路を有するレーザー。
Fターム (7件)：
5F073AA64
, 5F073AB05
, 5F073AB19
, 5F073CA24
, 5F073DA07
, 5F073DA16
, 5F073EA02
