超伝導接合素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130755
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327049
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、再現性の良いジョセフソン接合素子の製造方法を得ることを目的とする。【構成】真空装置内の基板ホルダに第1の超伝導体薄膜(1)を設置し、装置内を真空排気する。この装置内で、第1の超伝導体薄膜(1)を600°Cに加熱する。次に、不純物(31)を第1の超伝導体薄膜(1)の表面に蒸着する。この不純物(31)は、第1の超伝導体薄膜(1)の材料の構成元素の少くとも一つと置換可能な元素であることが望ましい。不純物(31)蒸着終了後、さらに600°Cで追加拡散を行って障壁層(3)を形成する。この方法によって、第1の超伝導体薄膜(1)と障壁層(3)の界面は第1の超伝導体薄膜(1)の内部に埋め込まれることになる。このため、第1の超伝導体薄膜(1)の表面の状態に注意することなく良好な接合界面を得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1及び第2の超伝導体層が、その間に障壁層を介して積層された構造を有する超伝導接合素子の製造方法において、前記第1の超伝導体層の表面に、その第1の超伝導体層の構成元素のいずれかと置換され易い元素を不純物として供給する工程と、その不純物を前記第1の超伝導体層の表層部に熱拡散する工程とを同時に行うことによって、前記障壁層を形成することを特徴とする、超伝導接合素子の製造方法。

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