特許

J-GLOBAL ID：200903040326625768

発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 今野 泰一郎 ,  海野 恒弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024639
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235690
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】基板を有する反射型構造でありながら、発光出力が高く、かつ製造が容易な発光ダイオードを得る。【構成】発光部を構成する複数のエピタキシャル層12を、接続用犠牲層部3aによって基板2と中央で空間的に接続して、エピタキシャル層12と基板2との間に空隙層9を形成する。空隙層10には樹脂を注入してもよい。この発光ダイオードチップ1の製造方法は、基板2に高混晶比のAlGaAs層を犠牲層として薄く成長させ、この犠牲層の上にエピタキシャル層12を成長させた後、犠牲層を中心部を残して(接続用犠牲層部3a)溶解除去し、空隙層9を形成する。この空隙層9または空隙層9に入った樹脂とクラッド層4の界面で光が反射し、発光出力が向上する。基板2を残すので、基板用としての高混晶の厚膜AlGaAs層が不要で、製造も容易となり、かつ特性が均一化する。

請求項（抜粋）：

基板と、基板の表面側に形成された発光部を構成する複数のエピタキシャル層とを有し、そのエピタキシャル層表面の中央に部分電極が、上記基板の裏面に全面電極がそれぞれ形成された発光ダイオードにおいて、上記基板と上記発光部を構成する複数のエピタキシャル層との間が中央で空間的に接続されて、この接続部を除いた上記基板と上記エピタキシャル層との間に空隙層が形成されていることを特徴とする発光ダイオード。