特許

J-GLOBAL ID：200903040328991133

結晶製造装置および結晶製造方法

発明者： 道口 健太郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-169916
公開番号（公開出願番号）：特開2004-010461
出願日： 2002年06月11日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】単結晶育成に使用する結晶製造装置において、結晶欠陥の導入を抑制しつつ良好に単結晶を育成可能な結晶製造装置およびそれを用いた結晶製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】坩堝を略囲んで配置される加熱手段と、該加熱手段を略囲んで配置される熱反射手段とを備え、坩堝内で原料を溶融し凝固させる結晶製造装置において、該加熱手段と該熱反射手段間の距離を調整可能とし、また該熱反射手段の熱伝導度を調整可能とすることで結晶を育成する坩堝内の温度勾配を調整する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

坩堝を略囲んで配置される加熱手段と、該加熱手段を略囲んで配置される熱反射手段とを備え、坩堝内で原料を溶融し凝固させる結晶製造装置において、 該加熱手段と該熱反射手段間の距離を調整可能としたことを特徴とする結晶製造装置。

IPC (3件)：

C30B11/00 ,  C30B29/12 ,  H05B3/00

FI (3件)：

C30B11/00 Z ,  C30B29/12 ,  H05B3/00 345

Fターム (12件)：

3K058AA86 ,  3K058EA05 ,  3K058EA06 ,  3K058GA05 ,  4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD02 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077HA01 ,  4G077MB04 ,  4G077MB24