特許
J-GLOBAL ID：200903040330913158
はんだバンプ実装用端子電極形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226220
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074096
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 はんだバンプ形成あるいはバンプ実装時に、配線電極パッドと絶縁保護膜の界面にはんだが流れ込むのを防ぐとともに、製作工程の短縮化が図れ、低コストで信頼性の高いはんだバンプ実装用端子電極形成方法を提供することにある。【解決手段】 絶縁性基板或いは半導体素子と他の基板或いは素子と電気的・機械的に接続するための電極端子であって、前記絶縁性基板或いは半導体素子上に形成された信号用電極、バイアス供給用電極又は接地用電極2と、前記電極2上を覆うように形成され、かつ前記電極上に少なくとも1個以上の開口部を設けた絶縁保護膜3とから構成されるはんだバンプ実装用端子電極構造において、前記絶縁性基板1或いは半導体素子上の各電極2と、該電極2の表面に形成する酸化処理層8と、該酸化処理層8上のバンプ実装用端子電極形成部分のみに少なくとも1個以上の開口部を設ける絶縁保持膜3とを、この順に形成し、その後に該絶縁保護膜3の開口部内に金属導体層からなるバンプ接着層5をめっき形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板或いは半導体素子と他の基板或いは素子と電気的・機械的に接続するための電極端子であって、前記絶縁性基板或いは半導体素子上に形成された信号用電極、バイアス供給用電極又は接地用電極と、前記電極上を覆うように形成され、かつ前記電極上に少なくとも1個以上の開口部を設けた絶縁保護膜とから構成されるはんだバンプ実装用端子電極構造において、前記絶縁性基板或いは半導体素子上の各電極と、該電極表面に形成する酸化処理層と、該酸化処理層上のバンプ実装用端子電極形成部分のみに少なくとも1個以上の開口部を設ける絶縁保持膜とを、この順に形成し、その後に該絶縁保護膜の開口部内に金属導体層からなるバンプ接着層をめっき形成することを特徴とするはんだバンプ実装用端子電極形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 604 S
