特許

J-GLOBAL ID：200903040335474390

回路基板及びその作製方法

発明者： 小倉 洋 ,  ▲高▼橋 和晃 ,  藤田 卓
出願人/特許権者： 松下通信工業株式会社
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-289876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124564
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 ガスを用いたエッチングにより、ウエットエッチングでは不可能な環境や人体への負荷低減及び基板に対する加工自由度の向上を図ること。【解決手段】 シリコン基板501にドライエッチングにより開口部502を設け、蓋部材504に微細貫通孔506をドライエッチングにより加工し、金属配線503を介しシリコン基板501と蓋部材504を接合する。この構造を取ることにより金属配線505は空気を誘電体とした伝送線路となるため誘電損失を低減することが可能となる。また、貫通孔506は任意に孔の数もしくは孔径を変化させることができるので、蓋部材504全体の見かけの誘電率を制御することができ、回路設計自由度の向上が果せるので高性能な回路基板を容易に製作することが可能となる。

請求項（抜粋）：

開口部を有する基体の前記開口部側の主面上に形成された第1の金属層と、前記開口部を閉塞するように配置されており、前記基体主面に対して略垂直方向に貫通して設けられた複数の貫通孔を有する第1の蓋部材と、前記蓋部材の前記開口部側の主面に設けられた第2の金属層と、を具備することを特徴とする回路基板。

IPC (3件)：

H05K 1/02 ,  H01L 21/3065 ,  H05K 3/00

FI (4件)：

H05K 1/02 P ,  H05K 1/02 C ,  H05K 3/00 K ,  H01L 21/302 J