特許
J-GLOBAL ID：200903040338186689
ハイブリッド光集積回路及びその製造方法並びに光伝送モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245438
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111518
出願日： 1994年10月11日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】Si基板上に形成する光軸調整用マークを極めて高い精度で形成して、光素子と光導波路素子とを高い位置合せ精度で固定できるようにする。【構成】ハイブリッド光集積回路は、光導波路素子30が設けられたSi基板20の光素子搭載用ピット部29に光素子を搭載して構成される。光導波路素子30と光素子の光軸合せは、光素子の光軸調整用マークと、Si基板20上のマーク27とを位置合せすることによって行う。Si基板20上にマーク27を形成するには、Si基板20上にコアガラス膜24を形成した後、コアガラス膜24の上にコア25とマークパターン26を同時に形成する。コア25とマークパターン26をマスクとしてSiベンチ21の一部をエッチングしマーク27を形成する。同一のホトリソグラフィ用マスクを用いてコア25とマークパターン26を同時に形成するから、コア25とマーク27との相対位置精度が上がる。
請求項（抜粋）：
光導波路素子を設けたSi基板上にSi基板側光軸調整用マークを形成し、該Si基板側光軸調整用マークと光素子に形成した光素子側光軸調整用マークとを位置合せすることによって、Si基板上に前記光導波路素子と光軸結合する光素子を搭載したハイブリッド光集積回路において、前記Si基板上に形成した前記Si基板側光軸調整用マークと前記光導波路素子の光軸との相対位置精度が±0.5μm以下であることを特徴とするハイブリッド光集積回路。
IPC (3件)：
H01L 27/15
, G02B 6/122
, G02B 6/13
G02B 6/12 B
, G02B 6/12 M
