特許
J-GLOBAL ID：200903040339093935
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151367
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345491
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 2値データと多値(4値以上)データを切り替えて記憶させる。【解決手段】 データラッチ回路10-0,10-1,...は、読み出し又は書き込みを行う選択メモリセルに対応して設けられる。データラッチ回路10-0,10-1,...は、2個ずつ組になっている。選択メモリセルに対して2ビットのデータの読み出し又は書き込みを行うときは、選択信号YAb0...,YBb0...により1つのデータラッチ回路が選択され、1ビットのデータの読み出し又は書き込みを行うときは、選択信号YAb0...,YBb0...により1つの組内の2つのデータラッチ回路が選択される。選択された1つ又は2つのデータラッチ回路とデータ入出力バッファとの間で、データのやりとりが行われる。
請求項（抜粋）：
読み出し又は書き込みを行う複数の選択メモリセルを含むメモリセルアレイと、前記複数の選択メモリセルに対応して設けられる複数のデータラッチ回路と、前記複数のデータラッチ回路をm(2以上の自然数)個ずつ組にし、前記複数の選択メモリセルの各々に対して複数ビットのデータの読み出し又は書き込みを行うときは、1つのデータラッチ回路を選択し、前記複数の選択メモリセルの各々に対して1ビットのデータの読み出し又は書き込みを行うときは、1つの組内のm個のデータラッチ回路を選択する手段と、選択された1つ又はm個のデータラッチ回路とデータのやりとりをするデータ入出力端子とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (3件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 601 T
, G11C 17/00 613
