特許
J-GLOBAL ID：200903040340167560
強誘電体デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安村 高明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090599
出願日： 1991年08月16日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 強誘電体層の導電体と半導体との界面での膜疲労を減少させる。【構成】 強誘電体デバイスを構成する導電体と強誘電体層2及び半導体と強誘電体層間に膜疲労を緩和する中間層6を形成する。
請求項（抜粋）：
変位分極による自発分極を持つ強誘電体を半導体基板又は半導体薄膜の上に積層し、さらにその上に導電体を積層する構造の強誘電体デバイスにおいて、前記強誘電体と半導体及び強誘電体と導電体の夫々の間に、強誘電体と同じ方向に変位分極を生じて常温で残留分極が大略0になるペロブスカイト構造を持つ応力緩和用の中間層を介在させてなることを特徴とする強誘電体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
