特許
J-GLOBAL ID：200903040342314543
半導体不良解析システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057669
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260843
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 ロット/ウェーハのチップ測定データの表示に要する時間を短縮する。【解決手段】 ロット/ウェーハのチップ測定データ検索条件の基準値を記憶する基準値データベース13と、その基準値に基づいてデータベース17に格納されたチップ測定データを検索するロット/ウェーハを指定するロット/ウェーハ指定部11と、その指定結果に基づいてロット/ウェーハのチップ測定データを検索するチップ検索部15を具備する半導体不良解析システムである。
請求項（抜粋）：
ロット/ウェーハのチップ測定データ検索条件の基準値を記憶する記憶部と、前記基準値に基づいて前記チップ測定データを検索するロット/ウェーハを指定する手段と、前記指定結果に基づいてロット/ウェーハのチップ測定データを検索する手段とを少なくとも具備することを特徴とする半導体不良解析システム。
Fターム (6件)：
4M106AA01
, 4M106CA70
, 4M106DJ21
, 4M106DJ26
, 4M106DJ38
, 4M106DJ40
