特許
J-GLOBAL ID：200903040346158570
支持体付薄膜形成方法およびX線マスク製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326355
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 酸やアルカリによるコンタミネーションや機械的損傷がない薄膜を支持体に固定した支持体付薄膜およびX線マスクを形成する。【解決手段】 薄膜物質の変成温度より低温で液相または固相に変態する物質を基体12として、その上に薄膜13を堆積して積層体14を形成し、この積層体を基体の変態温度では相変換しない物質からなる支持体11に密着させ、基体変態温度以上薄膜物質変成温度未満の温度で熱処理し基体を除去して、支持体付薄膜10を得る。また、支持体付薄膜上にX線吸収体を付着させパターニングしてX線マスクを作製する。
請求項（抜粋）：
支持体により支持された薄膜を得る方法において、まず、薄膜を形成する物質の変成温度より低温において液相または気相に変態する材料からなる基体上に薄膜を堆積して積層体を形成し、次に、前記基体の変態温度では相変換しない物質からなる支持体に前記積層体を密着して複合体を形成した後、該複合体を前記基体の変態温度以上かつ薄膜変成温度未満の温度で熱処理することにより前記基体を除去する工程を含む支持体付薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, C23C 16/56
, G03F 1/08
H01L 21/30 531 M
, C23C 16/56
, G03F 1/08 A
