特許
J-GLOBAL ID：200903040352136228
誘電体を用いた素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243792
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234419
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】本発明は、優れた強誘電体単結晶薄膜を有する強誘電体素子を提供することを目的とする。【構成】ペロブスカイト型結晶構造を有するSrTiO3 単結晶基体11を用いて、これと格子整合するPZT単結晶薄膜12をエピタキシャル成長させて、所望の強誘電体素子を構成する。
請求項（抜粋）：
不純物を含む誘電体からなる第1の電極と、この第1の電極の表面に設けられた誘電体膜と、この誘電体膜の表面に設けられた第2の電極とを具備してなることを特徴とする誘電体を用いた素子。
IPC (4件)：
H01B 3/00
, C30B 29/22 501
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04
