特許
J-GLOBAL ID：200903040355497221
スパツタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332883
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148633
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：
【要約】【目的】 ダミ-基板を利用して基板温度の測定をすることにより、成膜する基板の温度を常に一定に保ち、膜組成の再現性や制御性を改善する。【構成】 スパッタリング装置の基板ホルダ-5には成膜用の5個の基板2と、1個のダミ-基板3とを取り付ける。ダミ-基板3には熱電対を直接取り付けておく。カル-セル型の基板ホルダ-5は基板ホルダ-回転機構8によって回転駆動され、内部のランプヒ-タ4によって加熱される。ダミ-基板3の温度を基にしてランプヒ-タ4の電力制御を行い、これによって基板の温度を制御する。
請求項（抜粋）：
基板を移動させながら複数のタ-ゲットをスパッタリングして基板上に膜を堆積させるスパッタリング装置において、基板を加熱しながらこの基板をタ-ゲットに対して移動させることができる基板加熱移動機構を設け、基板とは別個にダミ-基板を基板加熱移動機構に取り付け、基板とタ-ゲットとの位置関係とダミ-基板とタ-ゲットとの位置関係とが幾何学的に同等になるようにダミ-基板を配置し、そのダミ-基板の温度に基づいて基板加熱移動機構の基板加熱装置を制御することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C23C 14/50
, C23C 14/54
