特許
J-GLOBAL ID：200903040355846617
半導体素子封止用ガラス管
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270734
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 未溶着不良の発生に起因する気密不良等や機械的強度の低下を防止することにより、高く安定した半導体素子の生産性を実現する半導体素子封止用ガラス管を提供する。【解決手段】 本発明の半導体素子封止用ガラス管5は、ヒートシンク部1aを有する二本のリード1の間に半導体素子を挟んだ状態でガラス被覆により気密封止したタブルヒートシンク型半導体の作製に用いる半導体素子封止用ガラス管5において、内孔5aの内径dがヒートシンク部1aの直径D1よりも5〜120μm大きい値であり、且つ内孔5aの内径dの最大値dmaxと最小値dminとの差である真円度が10μm以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ヒートシンク部を有する二本のリードの間に半導体素子を挟んだ状態でガラス被覆により気密封止したタブルヒートシンク型半導体の作製に用いる半導体素子封止用ガラス管において、内孔の内径が前記ヒートシンク部の直径よりも5〜120μm大きい値であり、且つ内孔の真円度が10μm以下であることを特徴とする半導体素子封止用ガラス管。
IPC (2件)：
Fターム (2件)：
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