特許

J-GLOBAL ID：200903040355991153

半導体ひずみゲージ及びそれを用いたひずみ測定方法

発明者： 杉山 進 ,  鳥山 寿之
出願人/特許権者： 学校法人立命館
代理人 (1件)： 渡辺 三彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-333138
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162056
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 同一平面内の2方向の垂直ひずみと上記平面内のせん断ひずみとの計測が可能な半導体ひずみゲージを提供すること。【解決手段】 p型シリコンの(100)基板12上に互いに直交する2対の対向電極13、14;15、16が形成され、1対の対向電極13、14は大略〔021〕方向に沿って配置される一方、他の1対の対向電極15、16は大略〔0-12〕方向に沿って配置されている半導体ひずみゲージ。

請求項（抜粋）：

p型シリコンの(100)基板上に互いに直交する2対の対向電極が形成され、1対の対向電極は大略〔021〕方向に沿って配置される一方、他の1対の対向電極は大略〔0-12〕方向に沿って配置されていることを特徴とする半導体ひずみゲージ。

IPC (4件)：

G01L 1/18 ,  G01B 7/16 ,  G01L 5/16 ,  H01L 29/84

FI (4件)：

G01L 1/18 A ,  G01L 5/16 ,  H01L 29/84 A ,  G01B 7/18 H

Fターム (23件)：

2F051AB10 ,  2F051AC01 ,  2F051DA03 ,  2F051DB05 ,  2F063AA28 ,  2F063BC05 ,  2F063CA34 ,  2F063DA04 ,  2F063DA08 ,  2F063DC08 ,  2F063DD07 ,  2F063EC06 ,  2F063EC22 ,  2F063ZA01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA05 ,  4M112CA09 ,  4M112CA11 ,  4M112DA12 ,  4M112DA15 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭56-079222