特許

J-GLOBAL ID：200903040358380970

窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子

発明者： 豊田 達憲 ,  楠瀬 健 ,  庄野 博文
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331012
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150298
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 基板側から光を入出力する素子において、半導体層側からの光りの漏れを少なくできる、発光又は光電変換効率の良好な窒化物半導体発光(又は受光)素子を提供する。【解決手段】 基板上にn型窒化ガリウム半導体の第1半導体層と、第1半導体層上に発光層を介して形成されたp型窒化ガリウム半導体の第2半導体層とを備え、第2半導体層の中央部に開口部を設けて露出させた第1半導体層にn側電極を形成しかつ第2半導体層にn側電極を取り囲むようにp側電極を形成して、基板を介して光りを入出力する発光(受光)素子であって、開口部の第2半導体層の側壁とp側電極の内周周辺部とに絶縁膜を形成し、n側電極が絶縁膜を介してp側電極と重なるようにn側電極を延在させ、p側電極と上記n側電極との間から光が漏れることを防止した。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたn型窒化ガリウム系半導体からなる第1半導体層と、該第1半導体層上に発光層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体からなる第2半導体層とを備え、上記第2半導体層の中央部において開口部設けて露出させた第1半導体層の表面にn側電極を形成しかつ上記第2の半導体層の表面に上記n側電極を取り囲むようにp側電極を形成して、上記基板を介して光りを出力する窒化ガリウム系半導体発光素子であって、上記開口部における上記第2の半導体層の側壁と上記p側電極の内周周辺部とに連続した絶縁膜を形成し、上記n側電極が上記絶縁膜を介して上記p側電極の内周周辺部と重なるように上記n側電極を延在させ、上記p側電極と上記n側電極との間から光が漏れることを防止したことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 発光ダイオードチップ、その台座、及び発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-173902   出願人：日立電線株式会社
• 発光素子と発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284073   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭61-121373
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-201306   出願人：豊田合成株式会社