半導体装置、液晶表示装置およびこれらの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003812
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208771
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】結晶粒の方位がそろい、粒界の不純物の少ない多結晶膜からなり、多結晶膜の粒径がトランジスタのチャネル長よりも大きく、チャネル部では単結晶である高性能TFTを実現する。【解決手段】基板3上に第1のa-Si膜11を形成し、次にその上に下地膜として金属膜14を成膜し、形成するTFT領域に対応する開口15を金属膜14に形成し、次にMICおよびMILCを利用し、600°C以下の温度で熱アニールを行い、金属膜14下のa-Si膜11をp-Si膜16に変化させるとともに、金属膜14をp-Si膜16に吸収させ、金属薄膜14と接しない部分において結晶粒を横方向に成長させて大粒径の結晶粒17を形成し、次にその上に第2のa-Si膜18を形成し、該a-Si膜18にエキシマレーザを照射し、多結晶化する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に設けた多結晶半導体層と、該多結晶半導体層に接して上記絶縁基板上に設けられ、結晶方位がそろった導電層と、上記多結晶半導体層上に設けたゲート電極と、上記多結晶半導体層と上記ゲート電極との間に設けたゲート絶縁膜と、上記ゲート電極の両側の上記多結晶半導体層中に設けたソース、ドレイン領域とを含んでなる薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 29/78 612 B

Fターム (48件)：

2H092JA41 , 2H092KA02 , 2H092KA04 , 2H092KB25 , 2H092MA13 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA25 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052GB05 , 5F052JA01 , 5F052JA10 , 5F110AA02 , 5F110AA09 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK07 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP23 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110PP35

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