特許
J-GLOBAL ID：200903040371084212
光学デバイスとその製造方法及び光ピックアップ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048448
公開番号（公開出願番号）：特開平8-249715
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 光ディスク等の信号の記録・再生に用いられる光学デバイスにおいて半導体レーザや光検出器のリード線の取り出しを基板裏面から行えるようにして組立・調整や封止を容易にすると共に、基板裏面をエッチングすることで、放熱面積を拡大し、高出力半導体レーザを用いることができるようにする。【構成】 シリコン基板113に穴115を形成し、一つの側面に半導体レーザ101を設け、穴115に対向する面から異方性エッチングで貫通穴118を形成し、貫通穴118に充填した導電性物質と半導体レーザ101の一方の電極とをワイヤ120で接続して、シリコン基板113の裏面側から半導体レーザ101のリード線の取り出しを可能にする。またシリコン基板113の裏面にエッチングしてエッチング穴123を設け、表面積を拡大し放熱効果を増大させる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の一方の面に設けられた凹部と、前記凹部内に設けられた半導体レーザと、前記凹部に対向する、前記基板のもう一方の面から前記凹部まで貫通する貫通穴と、前記貫通穴に充填される導電性物質と、前記凹部内で前記半導体レーザと前記導電性物質とを接続する手段とからなる光学デバイス。
IPC (4件)：
G11B 7/135
, G11B 7/22
, H01L 21/306
, H01S 3/18
G11B 7/135 Z
, G11B 7/22
, H01S 3/18
, H01L 21/306 A
