特許

J-GLOBAL ID：200903040379381780

半導体装置及びその製造方法

発明者： 仲井 淳一 ,  吾郷 富士夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-028436
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229553
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 微細化が可能な層内レンズを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 基板31上に配設された透明材料からなるオーバーコート層40、該オーバーコート層40上に形成された突起44、該突起44を核として形成された無機材料からなる凸型層内レンズ45、該層内レンズ45上に形成された上面が平坦な透明膜46とを含むことを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

基板上に配設された透明材料からなるオーバーコート層、該オーバーコート層上に形成された突起、該突起を核として形成された無機材料からなる凸型層内レンズ、該層内レンズ上に形成された上面が平坦な透明膜とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/14 ,  G02B 3/00 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

G02B 3/00 A ,  H01L 33/00 A ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A

Fターム (29件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA08 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA09 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GY01 ,  5F041AA06 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CB14 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049PA03 ,  5F049PA07 ,  5F049PA14 ,  5F049RA02 ,  5F049SZ20