膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086894
公開番号（公開出願番号）：特開2002-285085
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子の層間絶縁膜用に均一で比誘電率2.5以下のシリカ系膜が形成可能な組成物を提供する。【解決手段】 A)一般式1〜3の1種以上のシラン化合物の加水分解縮合物、Ra Si(OR1 )4-a (1)(RはH、F又は1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数)Si(OR2 )4 (2)(R2 は1価の有機基) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c(3)〔R3 〜R6 は1価の有機基、b、cは0〜2の整数、R7 はO、フェニレン又は-(CH2 )n -(nは1〜6の整数)、dは0〜1〕B)一般式4の溶剤R8O(R100)eR9 (4)(R8、R9は独立してH、C1〜4のアルキル基又はCH3CO-の1価の有機基、R10はアルキレン基、eは1〜2の整数。)C)溶解度(20°C)が100g/水100cc以下である有機溶剤を含有する膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を触媒と水の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕(B)下記一般式(4)で表される溶剤ならびにR8O(R100)eR9 ・・・・・(4)(R8およびR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、R10はアルキレン基を示し、eは1〜2の整数を表す。)(C)20°Cにおける水に対する溶解度が100g/100cc以下である有機溶剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (9件)：

C09D183/02 , C08K 5/00 , C08K 5/06 , C08L 83/00 , C09D 1/00 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (9件)：

C09D183/02 , C08K 5/00 , C08K 5/06 , C08L 83/00 , C09D 1/00 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (41件)：

4J002CP011 , 4J002CP021 , 4J002CP031 , 4J002CP051 , 4J002CP081 , 4J002CP091 , 4J002CP141 , 4J002CP191 , 4J002DE028 , 4J002ED017 , 4J002ED026 , 4J002EE027 , 4J002EH007 , 4J002EH156 , 4J002GH00 , 4J038AA011 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038HA176 , 4J038HA441 , 4J038JB01 , 4J038JB03 , 4J038JB27 , 4J038JB28 , 4J038JB29 , 4J038JB30 , 4J038JB33 , 4J038KA04 , 4J038MA09 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC02 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BJ02

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