特許

J-GLOBAL ID：200903040379966320

半導体装置の製造方法

発明者： 斎藤 直人
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-336204
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176189
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、従来の拡散エミッタ構造を有するフォト・トランジスタでは不可能であった光変換効率が良く、かつ小面積であるフォト・トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 フォト・トランジスタのエミッタ領域を多結晶シリコンと多結晶シリコンからの不純物の拡散された単結晶シリコンとで構成することにより、高効率なフォト・トランジスタを形成できることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板をコレクタ領域とし、前記第一導電型の半導体基板内に設けられた、第二導電型の半導体層をベース領域とし、さらに、前記第二導電型の半導体層表面に設けられた、第一導電型の半導体層をエミッタ領域とするフォト・トランジスタにおいて、第一の多結晶半導体層と単結晶半導体層を接続し、前記第一の多結晶半導体層中の不純物を前記単結晶半導体層側に拡散させることにより、前記エミッタ領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 Z

Fターム (18件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118CA09 ,  4M118EA01 ,  4M118EA20 ,  5F049MA12 ,  5F049MB02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA05 ,  5F049NA19 ,  5F049NB05 ,  5F049QA10 ,  5F049RA08 ,  5F049SE12 ,  5F049SE20