特許

J-GLOBAL ID：200903040383280998

半導体装置及びその製造方法

発明者： 横山 謙二
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152368
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343539
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】層間容量を減らし、且つ、コンタクトホール形成から配線層形成までの工程数を少なくする。【構成】半導体基板201上の第1の層間絶縁膜202に第1のコンタクトホール203を形成し、バリアメタル204とW205を形成し、バリアメタル204とW205をパターン形成する。その後、第2の層間絶縁膜206、第2のコンタクトホール207を形成することにより、第2のコンタクトホール207形成から配線層208形成までの工程数を少なくすることができる。

請求項（抜粋）：

第1のコンタクトホール内にWが埋め込まれ、その上に第2のコンタクトホールが存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205