特許
J-GLOBAL ID：200903040384653909
半導体材料の処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223878
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077528
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】ポーラス半導体材料の結晶粒子サイズの制御性を向上すると共に、表面の安定化を図る。【構成】陽極化成によりポーラス化された半導体材料に対し、真空または実質的に水素と結合しない不活性ガスの雰囲気中においてエネルギビームを照射した後、当該表面に酸化ガスを供給する。清浄化された表面を酸化するため、ポーラス半導体材料の表面を均一で安定な酸化膜で覆うことができ、酸化前(a)に比べて酸化後(b),酸化膜除去後(c)はフォトル・ミネッセンス強度のピーク波長が短波長側にシフトし、結晶粒子サイズ(量子サイズ)の制御が可能である。
請求項（抜粋）：
陽極化成によりポーラス化された半導体材料に対し、真空または実質的に水素と結合しない不活性ガスの雰囲気中においてエネルギービームを照射した後、当該表面に酸化ガスを供給することで、前記ポーラス半導体材料表面を酸化することを特徴とする半導体材料の処理方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/263
, H01L 21/316
