特許
J-GLOBAL ID：200903040385640975
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-097152
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293609
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 基板の透明性を維持することができ、また、ダストの発生を抑制することができ、しかも、ブロッキング材料の基板へのくっつきもない。【構成】 透明絶縁性基板200上に不純物拡散防止膜210として酸化ケイ素膜を成膜し、この酸化ケイ素膜上に半導体層220を成膜する。このとき、透明絶縁性基板200の裏面には、従来のようにブロック材を置いていないため、当然、半導体膜230が付着している。この半導体層220上に半導体層表面荒れ防止膜240を形成した後、半導体層220にレーザ光を照射して結晶化を行う。次に、この膜240を表面保護膜にして、半導体膜230をエッチング除去する。これによって、成膜時の貼り付きやダストの発生を低減し、さらに裏面半導体膜230をエッチングすることで透過型LCDをはじめとする装置でも、裏面からの可視光の透過率を低下させることなく作製できる。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上または該透明絶縁性基板上に設けられた絶縁膜上に半導体膜を堆積させる半導体膜堆積工程と、基板表面側に堆積した半導体膜の全部または一部を残して、基板裏面に堆積した半導体膜を除去する半導体膜除去工程と、該基板表面側の半導体膜を用いて素子を形成する素子形成工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268
H01L 29/78 627 G
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
