特許

J-GLOBAL ID：200903040385819509

多層配線構造の製造方法及び半導体装置

発明者： 西岡 康隆 ,  友久 伸吾
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-114040
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313909
出願日： 2001年04月12日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 多層配線構造の寸法の変動を抑制する。【解決手段】 下層配線として機能する配線材401の上には層間絶縁膜201,103,503,104,504,202がこの順に積層される。層間絶縁膜503,504,202のそれぞれの厚さt<SB>O1</SB>,t<SB>O2</SB>,t<SB>N2</SB>の間には、t<SB>O1</SB><t<SB></SB><SB>N2</SB>,t<SB>O2</SB>>t<SB>O1</SB>,t<SB>N2</SB><t<SB>O2</SB>の関係がある。これらの関係により、パターニングされた層間絶縁膜202をマスクとして用いる層間絶縁膜504のエッチングの際のテーパの生成、ビアホールのアスペクト比の低減、層間絶縁膜503の良好なエッチング除去が得られる。

請求項（抜粋）：

(a)下層配線を有し、前記下層配線を露出させる上面を有する基板に対し、前記基板の前記上面に第1の第1種層間絶縁膜、第1の第2種層間絶縁膜、第2の第1種層間絶縁膜、第2の第2種層間絶縁膜、第1の第3種層間絶縁膜をこの順に堆積する工程と、(b)第1の領域を開口するパターンに前記第1の第3種層間絶縁膜を整形する工程と、(c)前記工程(b)の後に、前記第1の領域に含まれ、前記第1の領域よりも狭い第2の領域を開口するパターンに前記第2の第2種層間絶縁膜及び前記第2の第1種層間絶縁膜を整形する工程と、(d)前記工程(c)の後に、前記第1の第3種層間絶縁膜よりも高い選択比で前記第1及び第2の第2種層間絶縁膜をエッチングする工程と、(e)前記工程(d)の後に、前記第1及び第2の第2種層間絶縁膜をマスクとして前記第1及び第2の第1種層間絶縁膜をエッチングして除去する工程とを備え、前記第1の第3種層間絶縁膜の膜厚が前記第1の第2種層間絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする、多層配線構造の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 A

Fターム (47件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX24