低温焼成磁器およびこれを備えた電子部品

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014350
公開番号（公開出願番号）：特開2000-211969
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】【課題】BaO-SiO2 -Al2 O3 系の低温焼成磁器において、誘電率εrが10以下であり、品質係数Qが2500以上である高強度の低温焼成磁器を提供する。【解決手段】低温焼成磁器が、バリウム成分をBaOに換算して40-65重量%、珪素成分をSiO2 に換算して25-46重量%、アルミニウム成分をAl2 O3 に換算して0.1-20重量%、ホウ素成分をB2 O3 に換算して0.3-1.5重量%、および亜鉛成分をZnOに換算して0.5-20重量%含有しており、低温焼成磁器の誘電率εrが10以下であり、品質係数Qが2500以上である。

請求項（抜粋）：

バリウム成分をBaOに換算して40-65重量%、珪素成分をSiO2 に換算して25-46重量%、アルミニウム成分をAl2 O3 に換算して0.1-20重量%、ホウ素成分をB2 O3 に換算して0.3-1.5重量%、および亜鉛成分をZnOに換算して0.5-20重量%含有しており、誘電率εrが10以下であり、品質係数Qが2500以上であることを特徴とする、低温焼成磁器。

IPC (6件)：

C04B 35/495 , C04B 35/16 , H01B 3/12 335 , H01B 3/12 336 , H01G 4/12 349 , H01G 4/12 358

FI (6件)：

C04B 35/00 J , H01B 3/12 335 , H01B 3/12 336 , H01G 4/12 349 , H01G 4/12 358 , C04B 35/16 Z

Fターム (28件)：

4G030AA10 , 4G030AA32 , 4G030AA35 , 4G030AA36 , 4G030AA37 , 4G030BA01 , 4G030BA09 , 4G030BA20 , 4G030GA08 , 4G030GA20 , 5E001AB03 , 5E001AD04 , 5E001AE00 , 5E001AE02 , 5E001AE04 , 5E001AH05 , 5E001AH09 , 5E001AJ02 , 5G303AA05 , 5G303AB05 , 5G303AB15 , 5G303BA11 , 5G303CA03 , 5G303CB01 , 5G303CB02 , 5G303CB03 , 5G303CB30 , 5G303CB38

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭62-137897
特開平1-236515
特公平7-098679

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