特許

J-GLOBAL ID：200903040387166430

半導体センサの製造方法

発明者： 喜田 真史 ,  横井 等
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194291
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023950
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【目的】 金属酸化物膜を有する半導体センサの製造に異方性エッチング液を用いても、保護膜の下の金属酸化物膜が溶解されてしまうことのない半導体センサの製造方法を提供すること。【構成】 金属酸化物膜を含むシリコン基板の保護部分を覆うようにCrからなる保護膜を形成する。異方性エッチング液に対する耐性に優れるCrを用いることで、非常に緻密な保護膜が形成できる。したがって、通常保護膜として用いるパッシベーション膜とは異なり、異方性エッチング液の保護膜への浸透による金属酸化物膜の溶解を効果的に防止できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、金属酸化物膜を形成する工程と、該金属酸化物膜を含む前記シリコン基板の保護部分を覆うようにクロム(Cr)からなる保護膜を形成する工程と、前記シリコン基板の非保護部分を異方性エッチング液によりエッチングする工程と、前記金属酸化物膜上の前記保護膜を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体センサの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

H01L 21/306 D ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 Z

Fターム (34件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA10 ,  4M112CA14 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112EA02 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA12 ,  5F043AA02 ,  5F043AA26 ,  5F043AA30 ,  5F043AA35 ,  5F043AA38 ,  5F043BB02 ,  5F043BB18 ,  5F043DD07 ,  5F043DD10 ,  5F043DD15 ,  5F043DD18 ,  5F043FF01 ,  5F043FF10 ,  5F043GG02 ,  5F043GG04 ,  5F043GG10