特許
J-GLOBAL ID：200903040388270460
EB転写マスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246965
公開番号（公開出願番号）：特開2003-057805
出願日： 2001年08月16日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 コンプリメンタリーマスクで構成されるEB(電子線)転写マスクデータの作成において、EB転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なEB転写マスクを提供する。【解決手段】 設計データ内の各パターンを複数のコンプリメンタリーマスクA,Bに振り分ける際に、コンプリメンタリーマスクAにはデバイス本体パターンPMのうちドーナッツパターンの分割パターンPM11、他のデバイス本体パターンPM2、及びダミーパターンのPD1を配設し、コンプリメンタリーマスクBにはドーナッツパターンの分割パターンPM12及びダミーパターンPD2を配設する。ダミーパターンPD1,PD2の振り分けを調整することにより、デバイス本体パターンPMの分割を最小限に保持し、複数のコンプリメンタリーマスクにおけるパターンの密度をほぼ等しくする。
請求項（抜粋）：
転写するパターンを複数のパターンに分割し、かつ当該分割したパターンをそれぞれ複数のコンプリメンタリーマスクに分配した構成のEB転写マスクにおいて、一つのコンプリメンタリーマスクにはデバイス本体パターンのうちドーナッツパターンを分割した一方の分割パターン、他のデバイス本体パターン、及びダミーパターンが配設され、他のコンプリメンタリーマスクには前記デバイス本体パターンのうちドーナッツパターンを分割した他方の分割パターン及びダミーパターンが配設され、前記複数のコンプリメンタリーマスクは振り分けられたパターンの密度がほぼ等しいことを特徴とするEB転写マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/16 B
, H01L 21/30 541 S
2H095BA05
, 2H095BA08
, 2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 5F056AA22
, 5F056CA04
, 5F056CA05
, 5F056CC12
, 5F056CC13
, 5F056CC14
, 5F056CC16
, 5F056FA05
, 5F056FA08
